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RB705D Datasheet

  • RB705D

  • Schottky barrier diode

  • 2頁

  • ROHM

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RB705D
Diodes
Schottky barrier diode
RB705D
Applications
General purpose detection
High speed switching
External dimensions
(Units : mm)
2.9
鹵
0.2
1.9
鹵
0.2
0.95 0.95
1.1
+0.2
鈭?.1
0.8
鹵
0.1
1.6
0.4
0.15
(All leads have the same dimensions)
Construction
Silicon epitaxial planar
ROHM : SMD3
EIAJ : SC-59
JEDEC : SOT-346
Circuit
Absolute maximum ratings
(Ta = 25擄C)
Parameter
Peak reverse voltage
DC reverse voltage
Mean rectifying current
Peak forward surge current
鈭?/div>
Junction temperature
Storage temperature
鈭?0
Hz for 1
Symbol
V
RM
V
R
I
O
I
FSM
Tj
Tstg
Limits
40
40
30
200
125
鈭?0
~
+125
Unit
V
V
mA
mA
擄C
擄C
Electrical characteristics
(Ta = 25擄C)
Parameter
Forward voltage
Reverse current
Capacitance between terminals
Symbol
V
F
I
R
C
T
Min.
鈭?/div>
鈭?/div>
鈭?/div>
Typ.
鈭?/div>
鈭?/div>
2.0
Max.
0.37
1
鈭?/div>
Unit
V
碌A(chǔ)
pF
I
F
=1mA
V
R
=10V
V
R
=1V,
f=1MHz
Conditions
Note) ESD sensitive product handling required.
0.3~0.6
D3H
Features
1) Small surface mounting type. (SMD3)
2) Low reverse current and low forward voltage.
3) Multiple diodes with common cathode configuration.
2.8
鹵
0.2
+0.2
鈭?.1
0~0.1
+0.1
鈭?.05
+0.1
鈭?.06

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