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RB550VA-30 Datasheet

  • RB550VA-30

  • Schottky barrier diode

  • 4頁

  • ROHM

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RB550VA-30
Diodes
Schottky barrier diode
RB550VA-30
Applications
General rectification
Features
1) Small mold type (TUMD2)
2) Low V
F,
Low I
R
3) High reliability
0.8鹵0.05
0.6鹵0.1
銆€銆€銆€0.05
1.3鹵0.1
0.04
0.6鹵0.1
0.05
External dimensions
(Unit : mm)
0.17鹵0.1
銆€銆€銆€銆€0.05
1.3鹵0.05
CATHODE銆€MARK
Land size figure
(Unit : mm)
1.1
1.9鹵0.1
2.5鹵0.2
0錕?frac12;錕?.1
TUMD2
1.45鹵0.1
0.47
0.15鹵0.03
Structure
Silicon Epitaxial Planer
0錕?frac12;錕?.1
Structure
0.03
Taping dimensions
(Unit : mm)
4.0鹵0.1
2.0鹵0.05
1.75鹵0.1
蠁1.55鹵0.1
銆€銆€銆€銆€銆€ 0.05
0.25鹵0.05
0.3鹵0.04
ROHM : TUMD2
dot(year week factory)+day
0.4鹵0.1
3.5鹵0.05
8.0鹵0.2
1.43鹵0.05
4.0鹵0.1
蠁1.0鹵0.2
銆€銆€銆€銆€銆€0
2.8鹵0.05
2.8鹵0.05
0.9鹵0.08
Absolute maximum ratings
(Ta=25擄C)
Parameter
Symbol
Reverse voltage (repetitive peak)
V
RM
V
R
Reverse voltage (DC)
Average rectified forward current
Io
I
FSM
Forward current surge peak
Junction temperature
Tj
Storage temperature
Tstg
Electrical characteristic
(Ta=25擄C)
Parameter
Symbol
Limits
30
30
1
3
150
-40 to +150
Unit
V
V
A
A
鈩?/div>
鈩?/div>
Min.
-
-
-
Typ.
0.45
0.48
1
Max.
0.49
0.52
30
Unit
V
碌A(chǔ)
碌A(chǔ)
Conditions
I
F
=700mA
I
F
=1A
V
R
=10V
Forward voltage
Reverse current
V
F
1
V
F
2
I
R
Rev.A
0.8 0.5
2.0
1/3

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