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RB451F Datasheet

  • RB451F

  • Schottky barrier diode

  • 2頁

  • ROHM

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RB451F
Diodes
Schottky barrier diode
RB451F
!
Applications
Low power rectification
!
External dimensions
(Units : mm)
2.0
鹵
0.2
1.3
鹵
0.1
0.9
鹵
0.1
0.3
0.6
0.3
鹵
0.1
0.15
鹵
0.05
(All leads have the same dimensions)
!
Construction
Silicon epitaxial planar
ROHM : UMD3
EIAJ : SC - 70
JEDEC : SOT - 323
!
Circuit
!
Absolute maximum ratings
(Ta = 25擄C)
Parameter
Peak reverse voltage
DC reverse voltage
Mean rectifying current
Peak forward surge current
鈭?/div>
Junction temperature
Storage temperature
鈭?/div>
60Hz for 1
Symbol
V
RM
V
R
I
O
I
FSM
Tj
Tstg
Limits
40
40
0.1
1
125
鈭?0
~
+125
Unit
V
V
A
A
擄C
擄C
!
Electrical characteristics
(Ta = 25擄C)
Parameter
Forward voltage
Reverse current
Capacitance between terminals
Symbol
V
F1
V
F2
I
R
C
T
Min.
鈭?/div>
鈭?/div>
鈭?/div>
鈭?/div>
Typ.
鈭?/div>
鈭?/div>
鈭?/div>
6.0
Max.
0.55
0.34
30
鈭?/div>
Unit
V
V
碌A(chǔ)
pF
I
F
=100mA
I
F
=10mA
V
R
=10V
Conditions
V
R
=10V,
f=1MHz
Note) ESD sensitive product handling required.
0.1Min.
3C
!
Features
1) Small surface mounting type. (UMD3)
2) Low V
F
. (V
F
=0.45V Typ. at 100mA)
3) High reliability.
0.65
0.65
1.25
鹵
0.1
2.1
鹵
0.1
0
~
0.1

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