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RB161M-20 Datasheet

  • RB161M-20

  • Schottky barrier diode

  • 4頁

  • ROHM

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RB161M-20
Diodes
Schottky barrier diode
RB161M-20
Applications
General rectification
External dimensions
(Unit : mm)
1.6鹵0.1
0.15鹵0.03
Land size figure
1.2
2.6鹵0.1
Features
1) Power mold type. (CPD3)
2) Low V
F
3) High reliability
Construction
Silicon epitaxial planer
3.5鹵0.2
0.9鹵0.1
0.8鹵0.1
0.6
PMDU
0.15鹵0.03
0錕?frac12;錕?.1
0.8鹵0.1
Structure
0.45
0.6
ROHM : PMDU
JEDEC : SOD-123
鈶?/div>
Manufacture Date
錕?frac12;閫犲勾鏈?/div>
Taping dimensions
(Unit : mm)
4.0鹵0.1
2.0鹵0.05
1.75鹵0.1
蠁1.55鹵0.1
銆€銆€銆€銆€銆€ 0.05
0.25鹵0.05
3.5鹵0.05
8.0鹵0.2
1.81鹵0.05
4.0鹵0.1
蠁1.0鹵0.2
銆€銆€銆€銆€銆€0
2.8鹵0.05
3.71鹵0.05
1.05鹵0.1
Absolute maximum ratings
(Ta=25擄C)
Parameter
Reverse voltage (repetitive peak)
Reverse voltage (DC)
Average rectified forward current
Forward current surge peak
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
RM
V
R
Io
I
FSM
Tj
Tstg
Limits
25
20
1
30
125
-40 to +125
Unit
V
V
A
A
鈩?/div>
鈩?/div>
(*1)Mounted on epoxy board. 180擄Half sine wave
Electrical characteristic
(Ta=25擄C)
Parameter
Forward voltage
Reverse current
Symbol
V
F
1
V
F
2
I
R
Min.
-
-
-
Typ.
0.28
0.31
280
Max.
0.32
0.35
700
Unit
V
V
碌A(chǔ)
Conditions
I
F
=0.5A
I
F
=1.0A
V
R
=20V
3.05
0錕?frac12;錕?.1
0.85
鈶?/div>
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