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RB160M-40 Datasheet

  • RB160M-40

  • Schottky barrier diode

  • 3頁(yè)

  • ROHM

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RB160M-40
Diodes
Schottky barrier diode
RB160M-40
Application
Low V
F
schottky barrier diode
For switching power supplies
Battery protection against reversal current
External dimensions
(Unit : mm)
0.9鹵0.1
CATHODE MAKE
0.1
+0.1
鈭?.05
Features
1) Small surface mounting type. (PMDU (2616) )
2) High reliability.
3) Low V
F
(V
F
=0.46V at 1A).
ROHM :
EIAJ :
鈭?/div>
JEDEC :
1.6鹵0.1
0.80鹵0.1
Structure
Silicon Epitaxial Planer
Absolute maximum ratings
(Ta=25擄C)
Parameter
Reverse voltage (repetitive peak)
Reverse voltage (DC)
Average rectified forward current
Forward current surge peak (60Hz / 1cyc.)
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
RM
V
R
I
O
I
FSM
Tj
Tstg
Limits
40
40
1
30
150
鈭?0
to 150
Unit
V
V
A
A
擄C
擄C
Electrical characteristics
(Ta=25擄C)
Parameter
Forward voltage
Reverse current
Symbol
V
F
I
R
Min.
鈭?/div>
鈭?/div>
Typ.
0.46
4.0
Max.
0.51
30
Unit
V
碌A(chǔ)
Conditions
I
F
=1.0A
V
R
=40V
2.6鹵0.1
3.5鹵0.2
74
1/2

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