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RB095T-90 Datasheet

  • RB095T-90

  • Schottky barrier diode

  • 208.74KB

  • 4頁

  • ROHM

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

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RB095T-90
Diodes
Schottky barrier diode
RB095T-90
Applications
Switching power supply
External dimensions
(Unit : mm)
9.9
0.8
0.3
2.2
Structure
10.0
1.2
1.3
0.8
5.0鹵0.2
Features
1) Cathode common type.
(TO-220)
2) Low I
R
3) High reliability
10.0鹵0.3
銆€銆€銆€ 0.1
1.8鹵0.2
7.0鹵0.3
銆€銆€銆€ 0.1
4.5鹵0.3
銆€銆€銆€ 0.1
2.8鹵0.2
銆€銆€銆€
1.1 0.1
7.2
蠁1.2
8.0鹵0.2
12.0鹵0.2
15.0
0.7鹵0.015
7.0
8.0
蠁3.1鹵0.1
鈶?/div>
0.7鹵0.015
2.6鹵0.03
1.9
7.2
3-蠁1.2
1.6
12.4
ROHM : 錛碠220FN
鈶?/div>
Manufacture Date
Absolute maximum ratings
(Ta=25擄C)
Parameter
Reverse voltage (repetitive peak)
Reverse voltage (DC)
Average rectified forward current (*1)
Forward current surge peak (60Hz銉?cyc) (*1)
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
RM
V
R
Io
I
FSM
Tj
Tstg
1.35
Construction
Silicon epitaxial planar
(1) (2) (3)
2.54鹵0.5
2.54鹵0.5
13.5MIN
17.0鹵0.4
0.2
2.6鹵0.03
0.8
Limits
90
90
6
100
150
-40 to +150
Unit
V
V
A
A
鈩?/div>
鈩?/div>
(*1)Tc=100鈩僲ax Per chip : Io/2
Electrical characteristic
(Ta=25擄C)
Parameter
Symbol
Forward voltage
Reverse current
Thermal impedance
V
F
I
R
胃jc
Min.
-
-
-
Typ.
-
-
-
Max.
0.75
150
3.0
Unit
V
碌A(chǔ)
鈩?W
Conditions
I
F
=3A
V
R
=90V
junction to case
Rev.A
1/3

RB095T-90 產(chǎn)品屬性

  • Diodes Overview

  • Fast Recovery Diodes

  • 500

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • 二極管，整流器 - 陣列

  • -

  • 750mV @ 3A

  • 150µA @ 90V

  • 3A

  • 90V

  • -

  • 肖特基

  • 快速恢復(fù) = 200mA（Io）

  • 1 對共陰極

  • 通孔

  • TO-220-3 整包

  • TO-220FN

  • 散裝

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