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RB095B-90 Datasheet

  • RB095B-90

  • Schottky barrier diode

  • 4頁

  • ROHM

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RB095B-90
Diodes
Schottky barrier diode
RB095B-90
Applications
General rectification
External dimensions
(Unit : mm)
6.5鹵0.2
5.1鹵0.2
銆€銆€銆€ 0.1
0.05
1.5鹵0.3
2.3鹵0.2
銆€銆€銆€ 0.1
0.5鹵0.1
Land size figure
6.0
Features
1)Power mold type. (CPD3)
2) Low V
F
3) High reliability
5.5鹵0.3
銆€銆€銆€ 0.1
1.5
0.75
0.9
錛?錛?/div>
錛?錛?/div>
錛?錛?/div>
0.65鹵0.1
0.55鹵0.1
銆€銆€銆€銆€ 0.55
1.2鹵0.2
2.5
1.2
0.8
1.5
2.3鹵0.2 2.3鹵0.2
2.2
2-R0.3
1.05 1.74
2.0
0.5
CPD
2.3 2.3
Construction
Silicon epitaxial planar
1.35
R OHM : CPD
JEITA : SC-63
鈶?/div>
Manufacture
Date
0.15
0.16
2.55
錛?錛?/div>
錛?錛?/div>
錛?錛?/div>
R0.45
Structure
0.95
24.5
0.5
Taping dimensions
(Unit : mm)
4.0鹵0.1
2.0鹵0.05
8.0鹵0.1
蠁1.55鹵0.1
銆€銆€銆€銆€銆€ 0
2.5鹵0.1
0.4鹵0.1
7.5鹵0.05
10.1鹵0.1
6.8鹵0.1
8.0鹵0.1
蠁3.0鹵0.1
2.7鹵0.2
Absolute maximum ratings
(Ta=25擄C)
Parameter
Reverse voltage (repetitive peak)
Reverse voltage (DC)
Average rectified forward current (*1)
Forward current surge peak
錛?0Hz銉?cyc錛?/div>
(*1)
Junction temperature
Storage temperature
(*1) Rating of per diode : Io/2
Symbol
V
RM
V
R
Io
I
FSM
Tj
Tstg
Limits
90
90
6
45
150
-40 to +150
Unit
V
V
A
A
鈩?/div>
鈩?/div>
Electrical characteristic
(Ta=25擄C)
Parameter
Forward voltage
Reverse current
Thermal impedance
Symbol
V
F
I
R
胃jc
Min.
-
-
-
Typ.
-
-
-
Max.
0.75
150
6.0
Unit
V
碌A(chǔ)
鈩?W
Conditions
I
F
=3.0A
V
R
=90V
junction to case
13.5鹵0.2
Rev.A
16.0鹵0.2
3.0 2.0
鈶?/div>
9.5鹵0.5
1.6
1.6
6.0
1/3

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