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RB095B-40 Datasheet

  • RB095B-40

  • Schottky barrier diode (Silicon Epitaxial Planer)

  • 190.80KB

  • 4頁

  • ROHM

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RB095B-40
Diodes
Schottky barrier diode
(Silicon Epitaxial Planer)
RB095B-40
Applications
General rectification
(Common cathode dual chip)
External dimensions
(Unit : mm)
6.5鹵0.2
5.1鹵0.2
銆€銆€銆€ 0.1
0.05
1.5鹵0.3
2.3鹵0.2
銆€銆€銆€ 0.1
0.5鹵0.1
Land size figure
6.0
5.5鹵0.3
銆€銆€銆€ 0.1
9.5鹵0.5
鈶?/div>
1.05 1.74
Features
1) Power mold (CPD3)
2) High reliability
3) Low V
F
& Low I
R
1.5
0.75
0.9
錛?錛?/div>
錛?錛?/div>
錛?錛?/div>
0.65鹵0.1
0.55鹵0.1
銆€銆€銆€銆€ 0.55
1.2鹵0.2
2.5
1.2
0.8
1.5
2.3鹵0.2 2.3鹵0.2
2.2
2-R0.3
CPD
2.3 2.3
2.0
0.5
1.35
ROHM : CPD
JEITA : SC-63
鈶?/div>
0.15
0.16
2.55
錛?錛?/div>
錛?錛?/div>
錛?錛?/div>
R0.45
Structure
0.95
24.5
0.5
ManufactureDate
Taping dimensions
(Unit : mm)
2.0鹵0.05
4.0鹵0.1
8.0鹵0.1
蠁1.55鹵0.1
銆€銆€銆€銆€銆€ 0
2.5鹵0.1
0.4鹵0.1
7.5鹵0.05
10.1鹵0.1
6.8鹵0.1
8.0鹵0.1
蠁3.0鹵0.1
2.7鹵0.2
Absolute maximum ratings
(Ta=25擄C)
Parameter
Reverse voltage (repetitive peak)
Reverse voltage (DC)
Average rectified forward current
鈭?/div>
Forward current surge peak (60Hz 1cyc.)
鈭?/div>
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
RM
V
R
I
O
I
FSM
Tj
Tstg
Limits
45
40
6
45
150
鈭?0
to
+150
Unit
V
V
A
A
擄C
擄C
鈭?/div>
Business frequencies, Rating of R-load,
1/2 lo per diode,
Tc=120
擄C
Electrical characteristic
(Ta=25擄C)
Parameter
Forward voltage
Reverse current
Thermal impedance
Symbol
V
F
I
R
Min.
鈭?/div>
鈭?/div>
鈭?/div>
Typ.
鈭?/div>
鈭?/div>
鈭?/div>
Max.
0.55
0.1
6.0
Unit
V
mA
I
F
=3.0A
V
R
=40V
junction to case
Conditions
胃
jc
擄C
/W
13.5鹵0.2
16.0鹵0.2
Rev.A
3.0 2.0
1.6
1.6
6.0
1/3

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