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RB095B-30 Datasheet

  • RB095B-30

  • Schottky barrier diode

  • 4頁(yè)

  • ROHM

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RB095B-30
Diodes
Schottky barrier diode
RB095B-30
Applications
General rectification
External dimensions
(Unit : mm)
6.5鹵0.2
5.1鹵0.2
銆€銆€銆€ 0.1
0.05
1.5鹵0.3
2.3鹵0.2
銆€銆€銆€ 0.1
0.5鹵0.1
Land size figure
6.0
Features
1) Power mold type. (CPD)
2) Low V
F
3) High reliability
5.5鹵0.3
銆€銆€銆€ 0.1
9.5鹵0.5
1.5
0.75
0.9
錛?錛?/div>
錛?錛?/div>
錛?錛?/div>
0.65鹵0.1
0.55鹵0.1
銆€銆€銆€銆€ 0.55
1.2鹵0.2
2.5
1.2
0.8
1.5
2.3鹵0.2 2.3鹵0.2
2.2
2-R0.3
1.05 1.74
2.0
0.5
CPD
2.3 2.3
Construction
Silicon epitaxial planar
1.35
ROHM : CPD
JEITA : SC-63
鈶?/div>
0.15
0.16
2.55
錛?錛?/div>
錛?錛?/div>
錛?錛?/div>
R0.45
Structure
0.95
24.5
0.5
Manufacture Date
Taping dimensions
(Unit : mm)
4.0鹵0.1
2.0鹵0.05
8.0鹵0.1
蠁1.55鹵0.1
銆€銆€銆€銆€銆€ 0
2.5鹵0.1
0.4鹵0.1
7.5鹵0.05
10.1鹵0.1
6.8鹵0.1
8.0鹵0.1
蠁3.0鹵0.1
2.7鹵0.2
Absolute maximum ratings
(Ta=25擄C)
Param eter
R evers e voltage (repetitive peak)
R evers e voltage (DC)
Average rectified forward current
錛?/div>
*1
錛?/div>
Forward current s urge peak
錛?/div>
60Hz
銉?/div>
1cyc
錛夛紙
*1
錛?/div>
J unction tem perature
S torage tem perature
(*1) Per chip : Io/2
Sym bol
V
RM
V
R
Io
I
FSM
Tj
Ts tg
Lim its
35
30
6
35
150
-40 to +150
Unit
V
V
A
A
鈩?/div>
鈩?/div>
Electrical characteristic
(Ta=25擄C)
Param eter
Forward voltage
Revers e current
Therm al im pedance
Sym bol
V
F
I
R
胃jc
Min.
-
-
-
Typ.
-
-
-
Max.
0.425
200
6.0
Unit
V
碌A(chǔ)
鈩?/div>
/W
I
F
=3.0A
V
R
=30V
junction to cas e
Conditions
13.5鹵0.2
Rev.A
16.0鹵0.2
3.0 2.0
鈶?/div>
1.6
1.6
6.0
1/3

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