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RB085T-60 Datasheet

  • RB085T-60

  • Schottky barrier diode

  • 4頁

  • ROHM

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RB085T-60
Diodes
Schottky barrier diode
RB085T-60
Applications
Switching power supply
External dimensions
(Unit : mm)
9.9
0.8
0.3
2.2
Structure
10.0
1.2
1.3
0.8
(1) (2) (3)
2.54鹵0.5
2.54鹵0.5
5.0鹵 0.2
Features
1) Cathode common type.
(TO-220)
2) Low I
R
3) High reliability
10.0鹵0.3
銆€銆€銆€ 0.1
1.8鹵 0.2
4.5鹵0.3
銆€銆€銆€ 0.1
2.8鹵0.2
銆€銆€銆€
1.1
0.1
7.0鹵0.3
銆€銆€銆€ 0.1
蠁3.1鹵0.1
7.2
蠁1.2
鈶?/div>
17.0鹵 0.4
0.2
8.0鹵 0.2
12.0鹵 0.2
15.0
Construction
Silicon epitaxial planar
0.7鹵 0.015
13.5MIN
0.7鹵0.015
8.0
2.6鹵0.03
7.0
1.9
1.35
0.8
2.6鹵 0.03
7.2
3-蠁1.2
1.6
ROHM : 錛碠220FN
鈶?/div>
Manufacture Date
Absolute maximum ratings
(Ta=25擄C)
Parameter
Reverse voltage (repetitive peak)
Reverse voltage (DC)
Average rectified forward current錛?1錛?/div>
Forward current surge peak
錛?0Hz銉?cyc錛夛紙*1錛?/div>
Junction temperature
Storage temperature
(*1)Tc=100鈩僲ax Per chip : Io/2
Symbol
V
RM
V
R
Io
I
FSM
Tj
Tstg
Limits
60
60
10
100
150
-40 to +150
Unit
V
V
A
A
鈩?/div>
鈩?/div>
Electrical characteristic
(Ta=25擄C)
Parameter
Forward voltage
Reserve current
Thermal impedance
Symbol
V
F
I
R
胃jc
Min.
-
-
-
Typ.
-
-
-
Max.
0.58
300
2.5
Unit
V
碌A(chǔ)
鈩?W
Conditions
I
F
=5A
V
R
=60V
junction to case
12.4
Rev.A
1/3

RB085T-60 產(chǎn)品屬性

  • Diodes Overview

  • Fast Recovery Diodes

  • 500

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • 二極管，整流器 - 陣列

  • -

  • 580mV @ 5A

  • 300µA @ 60V

  • 5A

  • 60V

  • -

  • 肖特基

  • 快速恢復(fù) = 200mA（Io）

  • 1 對(duì)共陰極

  • 通孔

  • TO-220-3 整包

  • TO-220FN

  • 散裝

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