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RB081L-20 Datasheet

  • RB081L-20

  • Schottky barrier diode

  • 2頁

  • ROHM

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RB081L-20
Diodes
Schottky barrier diode
RB081L-20
Applications
High frequency rectification
For switching power supply
External dimensions
(Units : mm)
Features
1) Compact power mold type. (PMDS)
2) Ultra low V
F
.( V
F
=0.27V Typ. at 1A )
3) I
O
=5A guaranteed despite the size.
1.5鹵0.2
CATHODE MARK
4.5鹵0.2
1.2鹵0.3
3
9
0.1
+0.02
鈭?.1
2.0鹵0.2
Construction
Silicon epitaxial planar
2.6鹵0.2
ROHM : PMDS
EIAJ :
鈭?/div>
JEDEC : SOD-106
Date of manufacture EX. 1999.12
鈫?/div>
9,C
Absolute maximum ratings
(Ta=25擄C)
Parameter
Peak reverse voltage
DC reverse voltage
Mean rectifying current
Symbol
V
RM
V
R
I
O
1
鈭?/div>
1
I
O
2
鈭?/div>
2
I
FSM
Tj
Tstg
Limits
25
20
5
4
70
125
鈭?0鈭?125
Unit
V
V
A
A
A
藲C
藲C
Peak forward surge current
(60Hz 1
)
Junction temperature
Storage temperature
鈭?/div>
1
When mounted on an alumina substrates (82脳30脳1.0mm), Tc Max.=90藲C
鈭?/div>
2
When mounted on an alumina substrates (82脳30脳1.0mm), Ta=25藲C
Electrical characteristics
(Ta=25擄C)
Parameter
Forward voltage
Reverse current
Symbol
V
F
I
R
Typ.
鈭?/div>
鈭?/div>
Max.
0.45
0.7
Unit
V
mA
Conditions
I
F
=5.0A
V
R
=20V
5.0鹵0.3

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