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RB070M-30 Datasheet

  • RB070M-30

  • Schottky barrier diode (Silicon Epitaxial Planer)

  • 195.61KB

  • 4頁

  • ROHM

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RB070M-30
Diodes
Schottky barrier diode
(Silicon Epitaxial Planer)
RB070M-30
Applications
General rectification
(Common cathode dual chip)
External dimensions
(Unit : mm)
1.6鹵0.1
0.15鹵0.03
Land size figure
1.2
0.85
2.6鹵0.1
3.5鹵0.2
0.8鹵0.1
Features
1) Small power mold type.
(PMDU)
2) Low IR
3) High reliability
0錕?frac12;錕?.1
0.9鹵0.1
0.8鹵0.1
0.6
PMDU
ROHM : PMDU
JEDEC : SOD-123
鈶?/div>
Manufacture Date
錕?frac12;閫犲勾鏈?/div>
0.15鹵0.03
0錕?frac12;錕?.1
Structure
0.6
Taping dimensions
(Unit : mm)
4.0鹵0.1
2.0鹵0.05
1.75鹵0.1
蠁1.55鹵0.1
銆€銆€銆€銆€銆€ 0.05
0.25鹵0.05
0.45
3.5鹵0.05
8.0鹵0.2
1.81鹵0.05
4.0鹵0.1
蠁1.0鹵0.2
銆€銆€銆€銆€銆€0
2.8鹵0.05
3.71鹵0.05
1.05鹵0.1
Absolute maximum ratings
(Ta=25擄C)
Parameter
Reverse voltage (repetitive peak)
Reverse voltage (DC)
鈭?/div>
Average rectified forward current
Forward current surge peak (60Hz 1cyc.)
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
RM
V
R
I
O
I
FSM
Tj
Tstg
Limits
30
30
1.5
30
150
鈭?0
to 150
Unit
V
V
A
A
擄C
擄C
鈭?/div>
Glass epoxy substrate at the time of assembler, half sine wave at 180擄.
Electrical characteristic
(Ta=25擄C)
Parameter
Forward voltage
Reverse current
Symbol
V
F1
V
F2
I
R
Min.
鈭?/div>
鈭?/div>
鈭?/div>
Typ.
0.37
0.44
9
Max.
0.43
0.49
50
Unit
V
V
碌A(chǔ)
Conditions
I
F
=0.5A
I
F
=1.5A
V
R
=30V
鈭桺lease
pay attention to static electricity when handling.
3.05
鈶?/div>
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