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RB051L-40 Datasheet

  • RB051L-40

  • Schottky barrier diode

  • 2頁(yè)

  • ROHM

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RB051L-40
Diodes
Schottky barrier diode
RB051L-40
Applications
High frequency rectification
For switching power supply
External dimensions
(Units : mm)
1.5
鹵
0.2
CATHODE MARK
Features
1) Compact power mold type. (PMDS)
2) Ultra low V
F
. (V
F
=0.29V Typ. at 1A)
3) V
RM
=40V guaranteed.
4.5
鹵
0.2
1.2
鹵
0.3
3
1
0.1
+0.02
鈭?.1
2.6
鹵
0.2
2.0
鹵
0.2
Construction
Silicon epitaxial planar
ROHM : PMDS
EIAJ :
鈭?/div>
JEDEC : SOD-106
, 路路路路路
Date of manufacture EX. 1999.12
鈫?/div>
9, C
Absolute maximum ratings
(Ta = 25擄C)
Parameter
Peak reverse voltage
DC reverse voltage
Mean rectifying current
鈭?/div>
Peak forward surge current
(60Hz
路
1
)
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
RM
V
R
I
O
I
FSM
Tj
Tstg
Limits
40
20
3.0
70
125
鈭?0
~
+125
Unit
V
V
A
A
擄C
擄C
鈭桾
L
90擄C Max. 180擄 half sine wave when mounted on an alumina substrate
(82
脳
30
脳
1.0 mm)
Electrical characteristics
(Ta = 25擄C)
Parameter
Forward voltage
Symbol
V
F
1
V
F
2
I
R
1
I
R
2
Typ.
鈭?/div>
鈭?/div>
鈭?/div>
鈭?/div>
Max.
0.35
0.45
1.0
150
Unit
V
V
mA
碌A(chǔ)
Conditions
I
F
=1.0A
I
F
=3.0A
V
R
=20V
V
R
=15V
Reverse current
5.0
鹵
0.3

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