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RB050LA-30 Datasheet

  • RB050LA-30

  • Schottky barrier diode

  • 4頁

  • ROHM

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RB050LA-30
Diodes
Schottky barrier diode
RB050LA-30
Applications
General rectification
Features
1) Small and Thin power mold
type (PMDT)
2) Low I
R
3) High reliability
External dimensions
(Unit : mm)
2.6鹵0.1
0.19
Land size figure
2.0
1.4
3.8鹵0.1
4.7鹵0.2
1.5鹵0.1
0.95鹵0.1
0.5
PMD錛?/div>
ROHM : PMD錛?/div>
鈶?/div>
0.95鹵0.1
0錕?frac12;錕?.1
Structure
Silicon Epitaxial Planer
0.19
Structure
0.2 0.3
Manufacture date
Taping dimensions
(Unit : mm)
4.0鹵0.1
2.0鹵0.05
8.0鹵0.1
蠁1.55鹵0.1
銆€銆€銆€銆€銆€ 0
1.75鹵0.05
0.25鹵0.05
1.4
5.5鹵0.05
蠁1.55鹵0.05
2.8鹵0.05
8.0鹵0.1
1.25鹵0.1
Absolute maximum ratings
(Ta=25擄C)
Parameter
Limits
Symbol
Rever voltage (repetitive peak)
30
V
RM
Reverse voltage (DC)
30
V
R
Average rectified forward current *
3
Io
Forward cirremt surge peak (60Hz銉?cyc)
70
I
FSM
Junction temperature
150
Tj
Storage temperature
-55 to +150
Tstg
(*1)Tc=90鈩僲ax Mounted on epoxy board. 180擄Half sine wave
4.9鹵0.1
9.5鹵0.1
Unit
V
V
A
A
鈩?/div>
鈩?/div>
Electrical characteristic
(Ta=25擄C)
Parameter
Forward voltage
Reverse current
Symbol
V
F
I
R
Min.
-
-
Typ.
-
-
Max.
0.45
150
Unit
V
碌A(chǔ)
Conditions
I
F
=3.0A
V
R
=30V
12.0鹵0.3
4.4
鈶?/div>
0錕?frac12;錕?.1
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