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R5009ANJ Datasheet

  • R5009ANJ

  • 10V Drive Nch MOSFET

  • 4頁(yè)

  • ROHM

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R5009ANJ
Transistors
10V Drive Nch MOSFET
R5009ANJ
Structure
Silicon N-channel MOSFET
Dimensions
(Unit : mm)
LPTS
10.1
4.5
1.3
Features
1) Low on-resistance.
2) Fast switching speed.
3) Wide SOA (safe operating area).
4) Gate-source voltage (V
GSS
)
guaranteed to be
鹵30V.
5) Drive circuits can be simple.
6) Parallel use is easy.
13.1
9.0
3.0
1.0
1.24
0.78
(3)
5.08
2.7
(1) Base (Gate)
(2) Collector (Drain)
(3) Emitter (Source)
(1)
(2)
Each lead has same dimensions
Applications
Switching
Packaging specifications
Package
Code
Type
Basic ordering unit (pieces)
Taping
TL
1000
Inner circuit
R5009ANJ
鈭?
Absolute maximum ratings
(Ta=25擄C)
Parameter
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Drain current
Source current
(Body Diode)
Avalanche Current
Avalanche Energy
Total power dissipation (Tc=25擄C)
Channel temperature
Range of storage temperature
鈭?
Pw鈮?0碌s, Duty cycle鈮?%
鈭?
L 500碌H, V
DD
=50V,
R
G
=25鈩?
Starting, Tch=25擄C
鈭?
Limited only by maximum tempterature allowed
Symbol
V
DSS
V
GSS
Continuous
Pulsed
Continuous
Pulsed
I
D
I
DP
I
S
I
SP
I
AS
E
AS
P
D
Tch
Tstg
鈭?
鈭?
鈭?
鈭?
鈭?
Limits
500
30
鹵9
鹵36
9
36
9
22.2
50
150
鈭?5
to
+150
Unit
V
V
A
A
A
A
A
mJ
W
擄C
擄C
(1)
(1) Gate
(2) Drain
(3) Source
(2)
1.2
2.54
0.4
(3)
鈭?
Body Diode
Thermal resistance
Parameter
Channel to case
Symbol
Rth(ch-c)
Limits
2.5
Unit
擄C/W
1/3

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