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IC Datasheet頻道、中國IC資料網(wǎng)

QS8K13TCR Datasheet

IC型號：
QS8K13TCR
PDF描述：
MOSFET 2N-CH 30V 6A TSMT8
文件大小：
1480.00KB
PDF頁數(shù)：
12頁

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QS8K13TCR 產品屬性

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨查看交期
價格
3,000 : ￥4.53431卷帶（TR）
系列
-
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產品狀態(tài)
在售
技術
MOSFET（金屬氧化物）
配置
2 N-通道（雙）
FET 功能
-
漏源電壓（Vdss）
30V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
6A
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
28 毫歐 @ 6A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
20nC @ 10V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
390pF @ 10V
功率 - 最大值
550mW
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
8-SMD，扁平引線
供應商器件封裝
TSMT8

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型號

版本

描述

廠商

下載
QS8K2TR

英文版

MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSMT8

QS8K2TR
QS8K13TCR

英文版

MOSFET 2N-CH 30V 6A TSMT8

QS8K13TCR

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