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IC Datasheet頻道、中國(guó)IC資料網(wǎng)

QS8J4TR Datasheet

IC型號(hào)：
QS8J4TR
PDF描述：
MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8
文件大小：
2418.00KB
PDF頁(yè)數(shù)：
12頁(yè)

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

QS8J4TR 產(chǎn)品屬性

現(xiàn)有數(shù)量
8,996現(xiàn)貨
價(jià)格
1 : ￥8.82000剪切帶（CT）3,000 : ￥3.72795卷帶（TR）
系列
-
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
配置
2 個(gè) P 溝道（雙）
FET 功能
邏輯電平門(mén)
漏源電壓（Vdss）
30V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
4A
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）
56 毫歐 @ 4A，10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）
13nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）
800pF @ 10V
功率 - 最大值
550mW
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
8-SMD，扁平引線
供應(yīng)商器件封裝
TSMT8

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型號(hào)

版本

描述

廠商

下載
QS8J1TR

英文版

MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8

QS8J1TR
QS8J4TR

英文版

MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8

QS8J4TR
QS8J13TR

英文版

MOSFET 2P-CH 12V 5.5A TSMT8

QS8J13TR
QS8J11TCR

英文版

MOSFET 2P-CH 12V 3.5A TSMT8

QS8J11TCR

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