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QS5U12

Transistors

Small switching (30V, 2.0A)

QS5U12

Features

1) The QS5U12 combines Nch MOSFET with a

Schottky barrier diode in a single TSMT5 package.

2) Nch MOSFET have a low on-state resistance with a

fast switching.

3) Nch MOSFET is reacted a low voltage drive (2.5V).

4) The Independently connected Schottky barrier diode

have a low forward voltage.

External dimensions

(Unit : mm)

1.0MAX

0.85鹵0.1

0.7鹵0.1

(4)

(5)

2.8鹵0.2

1.6鹵 0.2

0.1

0 to 0.1

(1)

(2)

(3)

0.4

+0.1

鈭?.05

0.16

+0.1

鈭?.06

Each lead has same dimensions

Applications

Load switch, DC / DC conversion

Abbreviated symbol :

U21

Structure

Silicon N-channel MOSFET

Schottky Barrier DIODE

Equivalent circuit

(5)

(4)

Packaging specifications

Package

Type

QS5U12

Code

Basic ordering unit (pieces)

Taping

TR

3000

(1)

鈭?

鈭?

(2)

(3)

鈭?

ESD PROTECTION DIODE

鈭?

BODY DIODE

(1) Anode

(2) Source

(3) Gate

(4) Drain

(5) Cathode

Rev.A

0.3 to 0.6

2.9鹵0.1

1.9鹵0.2

0.95 0.95

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• QS5U12
  英文版
  Small switching (30V, 2.0A)
  ROHM
  QS5U12
• QS5U12
  英文版
  Small switching (30V, 2.0A)
  ROHM [Rohm...
  QS5U12
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  英文版
  Small switching (30V, 2.0A)
  ROHM [Rohm...
  QS5U13
• QS5U16
  英文版
  Small switching (30V, 2.0A)
  ROHM
  QS5U16
• QS5U16
  英文版
  Small switching (30V, 2.0A)
  ROHM [Rohm...
  QS5U16
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  Small switching (30V, 2.0A)
  ROHM
  QS5U17
• QS5U17
  英文版
  Small switching (30V, 2.0A)
  ROHM [Rohm...
  QS5U17
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  ROHM
  QS5U21
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  Small switching (?20V, ?1.5A)
  ROHM [Rohm...
  QS5U21
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  Small switching (-20V, -1.5A)
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