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Q68000-A8322 Datasheet

  • Q68000-A8322

  • NPN Silicon Transistors

  • 6頁(yè)

  • INFINEON   INFINEON

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NPN Silicon Transistors
SMBT 6428
SMBT 6429
q
For AF input stages and driver applications
q
High current gain
q
Low collector-emitter saturation voltage
Type
SMBT 6428
SMBT 6429
Marking
s1K
s1L
Ordering Code
(tape and reel)
Q68000-A8321
Q68000-A8322
Pin Configuration
1
2
3
B
E
C
Package
1)
SOT-23
Maximum Ratings
Parameter
Collector-emitter voltage
Collector-base voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Total power dissipation,
T
S
=
71 藲C
Junction temperature
Storage temperature range
Thermal Resistance
Junction - ambient
2)
Junction - soldering point
R
th JA
R
th JS
鈮?/div>
310
鈮?/div>
240
Symbol
V
CE0
V
CB0
V
EB0
I
C
P
tot
T
j
T
stg
Values
SMBT 6428
SMBT 6429
50
60
45
55
6
200
330
150
鈥?65 鈥?+ 150
Unit
V
mA
mW
藲C
K/W
1)
2)
For detailed information see chapter Package Outlines.
Package mounted on epoxy pcb 40 mm
脳
40 mm
脳
1.5 mm/6 cm
2
Cu.
Semiconductor Group
1
5.91

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