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Q68000-A2485 Datasheet

  • Q68000-A2485

  • PNP Silicon Darlington Transistors

  • 147.30KB

  • 4頁

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PNP Silicon Darlington Transistors
SMBTA 63
SMBTA 64
q
High collector current
q
High DC current gain
Type
SMBTA 63
SMBTA 64
Marking
s2U
s2V
Ordering Code
(tape and reel)
Q68000-A2625
Q68000-A2485
Pin Configuration
1
2
3
B
E
C
Package
1)
SOT-23
Maximum Ratings
Parameter
Collector-emitter voltage
Collector-base voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Peak collector current
Base current
Peak base current
Total power dissipation,
T
S
=
81 藲C
Junction temperature
Storage temperature range
Thermal Resistance
Junction - ambient
2)
Junction - soldering point
R
th JA
R
th JS
鈮?/div>
280
鈮?/div>
210
Symbol
V
CE0
V
CB0
V
EB0
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
tot
T
j
T
stg
Values
SMBTA 63
SMBTA 64
30
30
10
30
30
10
500
800
100
200
360
150
鈥?65 鈥?+ 150
Unit
V
mA
mW
藲C
K/W
1)
2)
For detailed information see chapter Package Outlines.
Package mounted on epoxy pcb 40 mm
脳
40 mm
脳
1.5 mm/6 cm
2
Cu.
Semiconductor Group
1
5.91

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