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Q67060-S6501-A2 Datasheet

  • Q67060-S6501-A2

  • TRANSISTOR HITFET

  • 200.07KB

  • 9頁

  • ETC

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HITFET
餂?/div>
=
BTS 133
Smart Lowside Power Switch
Features
鈥?/div>
Logic Level Input
鈥?/div>
Input Protection (ESD)
鈥?Thermal
shutdown with latch
鈥?/div>
Overload protection
鈥?/div>
Short circuit protection
鈥?/div>
Overvoltage protection
鈥?/div>
Current
Product Summary
Drain source voltage
On-state resistance
Current limit
Nominal load current
Clamping energy
V
DS
R
DS(on)
I
D(lim)
I
D(ISO)
E
AS
60
50
21
7
V
m鈩?/div>
A
A
2000 mJ
limitation
鈥?/div>
Status feedback with external input resistor
鈥?/div>
Analog driving possible
Application
鈥?/div>
All kinds of resistive, inductive and capacitive loads in switching or
linear applications
鈥?/div>
碌C compatible power switch for 12 V and 24 V DC applications
鈥?/div>
Replaces electromechanical relays and discrete circuits
General Description
N channel vertical power FET in Smart SIPMOS
餂?/div>
chip on chip tech-
nology. Fully protected by embedded protected functions.
V bb
+
LOAD
M
D rain
2
1
IN
dv /d t
lim ita tio n
C u rre n t
lim ita tio n
O ve rvoltag e
p rotection
ESD
O v erloa d
pro te ctio n
O ve r-
te m pe rature
p ro te ctio n
S ho rt c ircu it
S h ort circ uit
p rotection
p ro te ctio n
S o u rce
3
H IT F E T
Page 1
19.05.2000

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