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Q67060-S6087-A101 Datasheet

  • Q67060-S6087-A101

  • Smart Lowside Power Switch

  • 10頁

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HITFET
廬
BTS 3142 D
Smart Lowside Power Switch
Features
鈥?/div>
Logic Level Input
鈥?/div>
Input Protection (ESD)
鈥?/div>
Thermal shutdown
鈥?/div>
Overload protection
鈥?/div>
Short circuit protection
鈥?/div>
Overvoltage protection
鈥?/div>
Current limitation
鈥?/div>
Analog driving possible
Product Summary
Drain source voltage
On-state resistance
Nominal load current
Clamping energy
V
DS
R
DS(on)
I
D(Nom)
E
AS
42
28
4.6
3.5
V
m鈩?/div>
A
J
Application
鈥?/div>
All kinds of resistive, inductive and capacitive loads in switching
or linear applications
鈥?/div>
碌C compatible power switch for 12 V DC applications
鈥?/div>
Replaces electromechanical relays and discrete circuits
General Description
N channel vertical power FET in Smart SIPMOS
廬
technology. Fully protected by embedded
protection functions.
V
bb
M
HITFET
廬
Current
Limitation
In
Pin 1
Drain
Pin 2 and 4 (TAB)
Overvoltage-
Protection
Gate-Driving
Unit
ESD
Overload
Protection
Over-
temperature
Protection
Short circuit
Protection
Pin 3
Source
Page 1
2002-09-04

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