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Q67050-T7 Datasheet

  • Q67050-T7

  • SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Depletion mode Hig...

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BSS 169
Preliminary data
SIPMOS
廬
Small-Signal Transistor
鈥?N channel
鈥?Depletion mode
鈥?High dynamic resistance
Pin 1
G
Type
BSS 169
Pin 2
S
Pin 3
D
V
DS
100 V
I
D
0.12 A
R
DS(on)
12
鈩?/div>
Package
SOT-23
Ordering Code
Q67050-T7
Maximum Ratings
Parameter
Drain source voltage
Drain-gate voltage
Symbol
Values
100
100
Unit
V
V
DS
V
DGR
V
GS
V
gs
I
D
R
GS
= 20 k鈩?/div>
Gate source voltage
Gate-source peak voltage, aperiodic
Continuous drain current
鹵
14
鹵
20
A
0.12
T
A
= 25 擄C
DC drain current, pulsed
I
Dpuls
0.36
T
A
= 25 擄C
Power dissipation
P
tot
0.36
W
-55 ... + 150 擄C
-55 ... + 150
鈮?/div>
350
鈮?/div>
285
T
A
= 25 擄C
Chip or operating temperature
Storage temperature
Thermal resistance, chip to ambient air
Therminal resistance, chip-substrate - reverse side
1)
DIN humidity category, DIN 40 040
IEC climatic category, DIN IEC 68-1
T
j
T
stg
R
thJA
R
thJSR
K/W
E
55 / 150 / 56
1) For package mounted on aluminium 15 mm x 16.7 mm x 0.7 mm.
Semiconductor Group
1
May-30-1996

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