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Q67050-A4102-A001 Datasheet

  • Q67050-A4102-A001

  • IGBT Chip

  • 4頁

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SIGC12T120
IGBT Chip
FEATURES:
鈥?/div>
1200V Trench & Field Stop technology
鈥?/div>
low turn-off losses
鈥?/div>
short tail current
鈥?/div>
positive temperature coefficient
鈥?/div>
easy paralleling
3
This chip is used for:
鈥?/div>
power module
C
Applications:
鈥?/div>
drives
G
E
Chip Type
SIGC12T120
V
CE
1200V
I
Cn
8A
Die Size
3.54 x 3.5 mm
2
Package
sawn on foil
Ordering Code
Q67050-
A4102-A001
MECHANICAL PARAMETER:
Raster size
Emitter pad size
Gate pad size
Area total / active
Thickness
Wafer size
Flat position
Max.possible chips per wafer
Passivation frontside
Emitter metallization
Collector metallization
Die bond
Wire bond
Reject Ink Dot Size
Recommended Storage Environment
3.54 x 3.5
2.028 x 2.028
1.107 x 0.702
12.4 / 6.9
140
150
0
1200 pcs
Photoimide
3200 nm AlSiCu
1400 nm Ni Ag 鈥搒ystem
suitable for epoxy and soft solder die bonding
electrically conductive glue or solder
Al, <500碌m
鈭?/div>
0.65mm ; max 1.2mm
store in original container, in dry nitrogen,
< 6 month at an ambient temperature of 23擄C
mm
碌m
mm
grd
2
mm
Edited by INFINEON Technologies AI PS DD HV3, L7621A, Edition 2, 04.09.2003

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