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Q67041-S4019 Datasheet

  • Q67041-S4019

  • SIPMOS Power Transistor (P-Channel Enhancement mode Avalanch...

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BSP 171 P
Preliminary data
SIPMOS
廬
Power Transistor
鈥?/div>
P-Channel
鈥?/div>
Enhancement mode
鈥?/div>
Avalanche rated
鈥?/div>
Logic Level
鈥?/div>
dv/dt rated
Pin 1
G
Type
BSP 171 P
V
DS
-60 V
I
D
R
DS(on)
Pin2/4
D
Pin 3
S
-1.8 A 0.3
鈩?/div>
Package
Ordering Code
@ V
GS
V
GS
= -10 V P-SOT223-4-1 Q67041-S4019
-
-
Maximum Ratings,
at
T
j = 25 擄C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Continuous drain current
T
A
= 25 擄C
T
A
= 100 擄C
Pulsed drain current
T
A
= 25 擄C
Avalanche energy, single pulse
I
D
= -1.8 A,
V
DD
= -25 V,
R
GS
= 25
鈩?/div>
Avalanche current,periodic limited by
T
jmax
Avalanche energy,periodic limited by
T
j(max)
Reverse diode dv/dt
I
S
= -1.8 A,
V
DD
鈮?/div>
V
(BR)DSS
, di/dt = 100 A/碌s,
T
jmax
= 150 擄C
Gate source voltage
Power dissipation,
T
A
= 25 擄C
Operating temperature
Storage temperature
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
V
GS
P
tot
T
j
T
stg
I
AR
E
AR
dv/dt
E
AS
I
D puls
I
D
Value
-1.8
-1.15
-7.2
70
-1.8
0.18
6
Unit
A
mJ
A
mJ
KV/碌s
鹵
14
1.8
-55 ...+150
-55 ...+150
55/150/56
V
W
擄C
Semiconductor Group
1
04 / 1998

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