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Q67041-S4018 Datasheet

  • Q67041-S4018

  • SIPMOS Power Transistor (P-Channel Enhancement mode Avalanch...

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BSP 170 P
Preliminary data
SIPMOS
廬
Power Transistor
鈥?/div>
P-Channel
鈥?/div>
Enhancement mode
鈥?/div>
Avalanche rated
鈥?/div>
dv/dt rated
Pin 1
G
Type
BSP 170 P
V
DS
60 V
I
D
R
DS(on)
Package
@ V
GS
V
GS
= -10 V SOT-223
-
Maximum Ratings ,
at Tj = 25擄C, unless otherwise specified
Parameter
Continuous drain current
T
A
= 25 擄C
T
A
= 70 擄C
Pulsed drain current
T
A
= 25 擄C
Avalanche energy, single pulse
I
D
= -1.9 A,
V
DD
= -25 V,
R
GS
= 25
鈩?/div>
Avalanche current,periodic limited by
T
jmax
Avalanche energy,periodic limited by
T
j(max)
Reverse diode dv/dt
I
S
= -1.9 A,
V
DD
鈮?/div>
V
(BR)DSS
, di/dt = 200 A/碌s,
T
jmax
= 150 擄C
Gate source voltage
Power dissipation
T
A
= 25 擄C
Operating temperature
Storage temperature
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
E
AS
I
AR
E
AR
dv/dt
70
-1.9
0.18
6
mJ
A
mJ
kV/碌s
I
Dpulse
Symbol
I
D
-1.9
-1.5
-7.6
Value
Unit
A
Pin 2/4
D
Pin 3
S
Ordering Code
Q67041-S4018
-1.9 A 0.3
鈩?/div>
V
GS
P
tot
T
j
T
stg
鹵
20
1.8
-55 ... +150
-55...+150
55/150/56
V
W
擄C
Semiconductor Group
1
07 / 1998

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