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Q67040S4647 Datasheet

  • Q67040S4647

  • Thinq SiC Schottky Diode

  • 8頁

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SDT08S60
Silicon Carbide Schottky Diode
鈥?/div>
Worlds first 600V Schottky diode
鈥?/div>
Revolutionary semiconductor
material - Silicon Carbide
鈥?/div>
Switching behavior benchmark
鈥?/div>
No reverse recovery
鈥?/div>
No temperature influence on
the switching behavior
鈥?/div>
No forward recovery
thinQ!錚?SiC Schottky Diode
Product Summary
V
RRM
Q
c
I
F
600
24
8
P-TO220-2-2.
V
nC
A
Type
SDT08S60
Package
P-TO220-2-2.
Ordering Code
Q67040S4647
Marking
D08S60
Pin 1
Pin 2
C
A
Maximum Ratings,
at
T
j
= 25 擄C, unless otherwise specified
Symbol
Parameter
Continuous forward current,
T
C
=100擄C
RMS forward current,
f=50Hz
T
C
=25擄C,
t
p
=10ms
Value
8
11.3
26
32
80
3.4
600
600
65
-55... +175
Unit
A
I
F
I
FRMS
Surge non repetitive forward current, sine halfwave
I
FSM
Repetitive peak forward current
T
j
=150擄C,
T
C
=100擄C,
D=0.1
I
FRM
I
FMAX
鈭玦
2
dt
V
RRM
V
RSM
P
tot
T
j ,
T
stg
Non repetitive peak forward current
t
p
=10碌s,
T
C
=25擄C
i
2
t
value,
T
C
=25擄C,
t
p
=10ms
Repetitive peak reverse voltage
Surge peak reverse voltage
Power dissipation,
T
C
=25擄C
Operating and storage temperature
A虜s
V
W
擄C
Rev. 2.0
Page 1
2004-03-18

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