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Q67040S4182 Datasheet

  • Q67040S4182

  • TRANSISTOR MOSFET

  • 9頁

  • ETC

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

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Preliminary data
SPP18P06P
SPB18P06P
SIPMOS
廬
Power-Transistor
Features
路
Product Summary
Drain source voltage
Drain-source on-state resistance
Continuous drain current
P-Channel
Enhancement mode
Avalanche rated
dv/dt rated
175擄C operating temperature
V
DS
R
DS(on)
I
D
-60
0.13
-18.6
V
W
路
路
路
路
A
Type
SPP18P06P
SPB18P06P
Package
Ordering Code
Pin 1
G
PIN 2/4
D
PIN 3
S
P-TO220-3-1 Q67040-S4182
P-TO263-3-2 Q67040-S4191
Maximum Ratings,at
T
j
= 25 擄C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Continuous drain current
Value
-18.6
-13.2
Unit
A
I
D
T
C
= 25 擄C
T
C
= 100 擄C
Pulsed drain current
I
D puls
E
AS
E
AR
dv/dt
-74.4
150
8
6
kV/碌s
mJ
T
C
= 25 擄C
Avalanche energy, single pulse
I
D
= -18.6 A ,
V
DD
= -25 V,
R
GS
= 25
W
Avalanche energy, periodic limited by
T
jmax
Reverse diode dv/dt
I
S
= -18.6 A,
V
DS
= -48 V, di/dt = 200 A/碌s,
T
jmax
= 175 擄C
Gate source voltage
Power dissipation
V
GS
P
tot
T
j ,
T
stg
鹵20
80
-55...+175
55/175/56
V
W
擄C
T
C
= 25 擄C
Operating and storage temperature
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
Page 1
1999-11-22

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