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Q67040S41232 Datasheet

  • Q67040S41232

  • TRANSISTOR SMD LEISTUNGS MOSFET

  • 141.32KB

  • 8頁

  • ETC

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

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SPD 14N05
SIPMOS廬 Power Transistor
Features
鈥?/div>
N channel
鈥?/div>
Product Summary
Drain source voltage
Drain-Source on-state resistance
Continuous drain current
V
DS
R
DS(on)
I
D
55
0.08
13.5
V
鈩?/div>
A
Enhancement mode
鈥?/div>
Avalanche rated
鈥?/div>
dv/dt rated
鈥?/div>
175藲C operating temperature
Type
SPD14N05
SPU14N05
Package
P-TO252
P-TO251
Ordering Code
Q67040-S4123
Q67040-S4115-A2
Packaging
Tape and Reel
Tube
Pin 1
G
Pin 2
D
Pin 3
S
MaximumRatings
, at
Tj
= 25 藲C, unless otherwise specified
Parameter
Continuous drain current
Symbol
Value
13.5
9.6
54
52
3.5
6
kV/碌s
mJ
Unit
A
I
D
T
C
= 25 藲C
T
C
= 100 藲C
Pulsed drain current
I
Dpulse
E
AS
E
AR
dv/dt
T
C
= 25 藲C
Avalanche energy, single pulse
I
D
= 13.5 A,
V
DD
= 25 V,
R
GS
= 25
鈩?/div>
Avalanche energy, periodic limited by
T
jmax
Reverse diode dv/dt
I
S
= 13.5 A,
V
DS
= 40 V, di/dt = 200 A/碌s,
T
jmax
= 175 藲C
Gate source voltage
Power dissipation
V
GS
P
tot
T
j ,
T
stg
鹵20
35
-55... +175
55/175/56
V
W
藲C
T
C
= 25 藲C
Operating and storage temperature
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
Data Sheet
1
06.99

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