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Q67040-S4470 Datasheet

  • Q67040-S4470

  • Silicon Carbide Schottky Diode

  • 8頁

  • INFINEON   INFINEON

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Preliminary data
Silicon Carbide Schottky Diode
Worlds first 600V Schottky diode
Revolutionary semiconductor
material - Silicon Carbide
Switching behavior benchmark
No reverse recovery
No temperature influence on
the switching behavior
No forward recovery

SDT12S60
Product Summary
V
RRM
Q
c
I
F
600
30
12
P-TO220-2-2.
Repetitive peak reverse voltage
Surge peak reverse voltage
Power dissipation,
T
C
=25擄C
Operating and storage temperature
Page 1






V
nC
A
Type
SDT12S60
Package
P-TO220-2-2.
Ordering Code
Q67040-S4470
Marking
D12S60
Pin 1
C
Pin 2
A
Pin 3
Maximum Ratings,at
T
j
= 25 擄C, unless otherwise specified
Parameter
Continuous forward current,
T
C
=100擄C
RMS forward current,
f=50Hz
T
C
=25擄C,
t
p
=10ms
Symbol
I
F
I
FRMS
Value
12
17
36
49
120
6.48
600
600
88.2
-55... +175
Unit
A
Surge non repetitive forward current, sine halfwave
I
FSM
Repetitive peak forward current
T
j
=150擄C,
T
C
=100擄C,
D=0.1
I
FRM
I
FMAX
i
2
dt
Non repetitive peak forward current
t
p
=10碌s,
T
C
=25擄C
i
2
t
value,
T
C
=25擄C,
t
p
=10ms
A虜s
V
W
擄C
V
RRM
V
RSM
P
tot
T
j ,
T
stg
2002-01-14

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