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Q67000-S252 Datasheet

  • Q67000-S252

  • SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Depletion mode Hig...

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SIPMOS
廬
Small-Signal Transistor
BSS 149
q
q
q
q
q
q
q
V
DS
200 V
I
D
0.35 A
R
DS(on)
3.5
鈩?/div>
N channel
Depletion mode
High dynamic resistance
Available grouped in
V
GS(th)
1
2
3
Type
Ordering
Code
Tape and Reel
Information
E6325: 2000 pcs/carton;
Ammopack
Pin Configuration Marking Package
1
G
2
D
3
S
SS149
TO-92
BSS 149 Q67000-S252
Maximum Ratings
Parameter
Drain-source voltage
Drain-gate voltage,
R
GS
= 20 k鈩?/div>
Gate-source voltage
Gate-source peak voltage, aperiodic
Continuous drain current,
T
A
= 34 藲C
Pulsed drain current,
Max. power dissipation,
Symbol
Values
200
200
鹵
14
鹵
20
0.35
1.05
1.0
鈥?55 鈥?+ 150
鈮?/div>
125
E
55/150/56
W
藲C
K/W
鈥?/div>
A
Unit
V
V
DS
V
DGR
V
GS
V
gs
I
D
I
D puls
P
tot
T
j
,
T
stg
R
thJA
鈥?/div>
鈥?/div>
T
A
= 25 藲C
T
A
= 25 藲C
Operating and storage temperature range
Thermal resistance, chip-ambient
(without heat sink)
DIN humidity category, DIN 40 040
IEC climatic category, DIN IEC 68-1
Semiconductor Group
1
04.97

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