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Q67000-S221 Datasheet

  • Q67000-S221

  • SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Depletion mode Hig...

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SIPMOS
廬
Small-Signal Transistor
q
q
q
q
q
q
q
BSS 139
V
DS
250 V
I
D
0.04 A
R
DS(on)
100
鈩?/div>
N channel
Depletion mode
High dynamic resistance
Available grouped in
V
GS(th)
Type
Ordering
Code
Tape and Reel
Information
Pin Configuration Marking
1
G
2
S
3
D
STs
Package
SOT-23
BSS 139 Q62702-S612 E6327: 3000 pcs/reel;
BSS 139 Q67000-S221 E7941: 3000 pcs/reel;
V
GS(th)
selected in groups:
(see
page 491)
Maximum Ratings
Parameter
Drain-source voltage
Drain-gate voltage,
R
GS
= 20 k鈩?/div>
Gate-source voltage
Gate-source peak voltage, aperiodic
Continuous drain current,
T
A
= 25 藲C
Pulsed drain current,
Max. power dissipation,
Symbol
Values
250
250
鹵
14
鹵
20
0.04
0.12
0.36
鈥?55 鈥?+ 150
鈮?/div>
350
鈮?/div>
285
E
55/150/56
Unit
V
T
A
= 25 藲C
T
A
= 25 藲C
Operating and storage temperature range
Thermal resistance, chip-ambient
(without heat sink)
chip-substrate 鈥?reverse side
1)
DIN humidity category, DIN 40 040
IEC climatic category, DIN IEC 68-1
1)
V
DS
V
DGR
V
GS
V
gs
I
D
I
D puls
P
tot
T
j
,
T
stg
R
thJA
R
thJSR
鈥?/div>
鈥?/div>
A
W
藲C
K/W
鈥?/div>
For package mounted on aluminum 15 mm x 16.7 mm x 0.7 mm.
Semiconductor Group
1
10.94

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