GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm)
GaAIAs Infrared Emitter (880 nm)
SFH 487 P
Area not flat
0.7
0.8 0.4
0.4
0.6
0.4
3.1
2.5
2.0
1.7
4.0
3.6
2.54 mm
spacing
酶3.1
酶2.9
1.8
1.2
29
27
4.5
4.0
Cathode
3.5
Chip position
0.6
0.4
Approx. weight 0.3 g
Ma尾e in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q
GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt
im Schmelzepitaxieverfahren
q
Hohe Zuverl盲ssigkeit
q
Enge Toleranz: Chipoberfl盲che/
Bauteiloberkante
q
Hohe Impulsbelastbarkeit
q
Gute spektrale Anpassung an
Si-Fotoempf盲nger
q
Sehr plane Oberfl盲che
q
Geh盲usegleich mit SFH 309
Anwendungen
q
Lichtschranken f眉r Gleich- und
Wechsellichtbetrieb bis 500 kHz
q
LWL
Features
q
GaAIAs infrared emitting diode, fabricated in
a liquid phase epitaxy process
q
High reliability
q
Small tolerance: Chip surface to case
surface
q
High pulse handling capability
q
Good spectral match to silicon
photodetectors
q
Plane surface
q
Same package as SFH 309
Applications
q
Photointerrupters
q
Fibre optic transmission
Typ
Type
SFH 487 P
Bestellnummer
Ordering Code
Q62703-Q517
Geh盲use
Package
3-mm-LED-Geh盲use, plan, klares violettes Epoxy-
Gie尾harz, Anschl眉sse im 2.54-mm-Raster (
1
/
10
鈥欌€?,
Anodenkennzeichnung: k眉rzerer Anschlu尾
3 mm LED package (T 1), plane, violet-colored trans-
parent epoxy resin, solder tabs lead spacing 2.54 mm
(
1
/
10
鈥欌€?, anode marking: short lead
Semiconductor Group
1
1997-11-01
fex06308
GEX06308
INFINEON
1
2
3
4
5
