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Q62703-Q1090 Datasheet

  • Q62703-Q1090

  • GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter

  • 37.72KB

  • 5頁

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GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode
GaAlAs Infrared Emitter
SFH 483
酶0.45
Chip position
1
0.9 .1
1.1 .9
0
酶5.5
酶5.2
2.7
1
2.54 mm
spacing
14.5
12.5
3.6
3.0
酶4.3
酶4.1
Anode (LD 242, BPX 63, SFH 464)
Cathode (SFH 483)
Approx. weight 0.5 g
GET06625
Ma脽e in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q
GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode mit hohem
Wirkungsgrad
q
Die Anode ist galvanisch mit dem
Geh盲useboden verbunden
q
Hohe Impulsbelastbarkeit
q
Hohe Zuverl盲ssigkeit
q
Anwendungsklasse nach DIN 40040 GQG
q
Geh盲usegleich mit BPX 63, BP 103, LD 242,
SFH 464
Anwendungen
q
IR-Fernsteuerungen und Ton眉bertragungen
q
Lichtschranken f眉r Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
Typ
Type
SFH 483 E7800
Bestellnummer
Ordering Code
Q62703-Q1090
Features
q
Highly efficient GaAlAs LED
q
Anode is electrically connected to the case
q
High pulse power
q
High reliability
q
DIN humidity category in acc. with
DIN 40040 GQG
q
Same package as BPX 63, BP 103, LD 242,
SFH 464
Applications
q
IR remote controls and sound transmission
q
Photointerrupter
Geh盲use
Package
18 A3 DIN 41870 (TO-18), Bodenplatte, klares Epoxy-
Gie脽harz, Anschl眉sse im 2.54-mm-Raster (
1
/
10
鈥欌€?
18 A3 DIN 41870 (TO-18), clear epoxy resin, lead
spacing 2.54 mm (
1
/
10
鈥欌€?
Semiconductor Group
1
1997-11-01
fet06625

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