GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Geh盲use
GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package
3.0
2.6
2.3
2.1
2.1
1.7
0.1 (typ)
0.9
0.7
SFH 421
SFH 426
fpl06724
3.4
3.0
2.4
0.8
0.6
Cathode/Collector marking
Approx. weight 0.03 g
1.1
0.5
0.18
0.6
0.12
0.4
Cathode/Collector
GPL06724
3.7
3.3
SFH 421 TOPLED
廬
(2.4)
2.8
2.4
4.2
3.8
0.7
Cathode/
Collector
2.54
spacing
1.1
0.9
Anode/
Emitter
(2.85)
GPL06880
Collector/Cathode marking
(2.9)
SFH 426 SIDELED
廬
4.2
3.8
Ma尾e in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q
GaAIAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad
q
Gute Linearit盲t (I
e
=
f
[
I
F
]) bei hohen Str枚men
q
Gleichstrom- (mit Modulation) oder
Impulsbetrieb m枚glich
q
Hohe Zuverl盲ssigkeit
q
Hohe Impulsbelastbarkeit
q
Oberfl盲chenmontage geeignet
q
Gegurtet lieferbar
q
SFH 421 Geh盲usegleich mit SFH 320/420
SFH 426 Geh盲usegleich mit SFH 325/425
q
SFH 426: Nur f眉r IR-Reflow-L枚tung geeignet.
Bei Schwall枚tung wenden Sie sich bitte an uns.
Features
q
Very highly efficient GaAIAs-LED
q
Good Linearity (I
e
=
f
[
I
F
]) at high currents
q
DC (with modulation) or pulsed operations
are possible
q
High reliability
q
High pulse handling capability
q
Suitable for surface mounting (SMT)
q
Available on tape and reel
q
SFH 421 same package as SFH 320/420
SFH 426 same package as SFH 325/425
q
SFH 426: Suitable only for IR-reflow
soldering. In case of dip soldering, please
contact us first.
1997-11-01
Semiconductor Group
1
fpl06867
(R1)
3.8
3.4