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Q62703-F97 Datasheet

  • Q62703-F97

  • GaAs FET (Low noise Fmin = 1.4 dB @ 4 GHz High gain 11.5 ...

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GaAs FET
CFY 30
________________________________________________________________________________________________________
Datasheet
*
Low noise ( F
min
= 1.4 dB @ 4 GHz )
*
High gain ( 11.5 dB typ. @ 4 GHz )
*
For oscillators up to 12 GHz
*
For amplifiers up to 6 GHz
*
Ion implanted planar structure
* Chip all gold metallization
* Chip nitride passivation
ESD:
Electrostatic discharge
sensitive device,
observe handling precautions!
Type
Marking
Ordering code
(tape and reel)
Pin Configuration
1
2
3
4
Package 1)
CFY 30
A2
Q62703-F97 S
D
S
G
SOT-143
Maximum ratings
Drain-source voltage
Drain-gate voltage
Gate-source voltage
Drain current
Channel temperature
Storage temperature range
Total power dissipation
(TS < 70擄C) 2)
Thermal resistance
Channel-soldering point
2)
Symbol
Value
5
7
-4 ... +0.5
80
150
-40...+150
250
Unit
V
V
V
mA
擄C
擄C
mW
VDS
VDG
VGS
ID
TCh
Tstg
Ptot
RthChS
<320
K/W
1)
Dimensions see chapter Package Outlines
2) T
S
is measured on the source 1 lead at the soldering point to the PCB.
Siemens Aktiengesellschaft
pg. 1/6
11.01.1996
HL EH PD 21

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