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Q62702F1721 Datasheet

  • Q62702F1721

  • TRANSISTOR R.F SOT595

  • 8頁(yè)

  • ETC

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SIEGET
廬
25
NPN Silicon RF Transistor
Preliminary data
鈥?/div>
For high power amplifiers
鈥?/div>
Compression point
P
-1dB
= 26.5 dBm at 1.8 GHz
maxim. available Gain
G
ma
= 9.5 dB at 1.8 GHz
鈥?/div>
Transition frequency
f
T
> 17 GHz
鈥?/div>
Gold metalization for high reliability
鈥?/div>
SIEGET
廬
25 - Line
Siemens Grounded Emitter Transistor
25
GHz
f
T
-
Line
BFP 490
4
5
3
2
1
VPW05980
ESD: Electrostatic discharge
sensitive device, observe handling precaution!
Type
BFP 490
Marking Ordering Code
AOs
Q62702-F1721
Pin Configuration
1=B
2=E
3=C
4=C
5=E
Package
SCT-595
Maximum Ratings
Parameter
Collector-emitter voltage
Collector-base voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Base current
Total power dissipation,
T
S
鈮?/div>
85 擄C
Junction temperature
Ambient temperature
Storage temperature
Thermal Resistance
Junction - soldering point
1)
Symbol
Value
4.5
15
1.5
600
60
1000
150
-65 ...+150
-65 ...+150
Unit
V
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
I
B
P
tot
T
j
T
A
T
stg
R
thJS
mA
mW
擄C
鈮?/div>
65
K/W
1) TS is measured on the emitter lead at the soldering point
mounted on alumina 15 mm x 16,7 mm x 0.7 mm
Semiconductor Group
Semiconductor Group
1
1
Sep-09-1998
1998-11-01

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