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Q62702F1576 Datasheet

  • Q62702F1576

  • TRANSISTOR R.F SOT343

  • 7頁

  • ETC

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BFP 196W
NPN Silicon RF Transistor
鈥?For low noise, low distortion broadband
amplifiers in antenna and telecommunications
systems up to 1.5GHz at collector currents from
20mA to 80mA
鈥?Power amplifier for DECT and PCN systems
鈥?/div>
f
T
= 7.5GHz
F
= 1.5 dB at 900MHz
ESD: Electrostatic discharge
sensitive device, observe handling precaution!
Type
Marking Ordering Code
Pin Configuration
BFP 196W
RIs
Q62702-F1576
1=E
2=C
3=E
4=B
Package
SOT-343
Maximum Ratings
Parameter
Collector-emitter voltage
Collector-emitter voltage
Collector-base voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Base current
Total power dissipation
Symbol
Values
12
20
20
2
100
12
mW
700
150
- 65 ... + 150
- 65 ... + 150
鈮?/div>
115
擄C
mA
Unit
V
V
CEO
V
CES
V
CBO
V
EBO
I
C
I
B
P
tot
T
j
T
A
T
stg
1)
T
S
鈮?/div>
69 擄C
Junction temperature
Ambient temperature
Storage temperature
Thermal Resistance
Junction - soldering point
R
thJS
K/W
1)
T
S
is measured on the collector lead at the soldering point to the pcb.
Semiconductor Group
1
Dec-12-1996

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