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Q62702F1573 Datasheet

  • Q62702F1573

  • TRANSISTOR R.F SOT363

  • 6頁

  • ETC

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BFS 482
NPN Silicon RF Transistor
For low-noise. high-gain broadband amplifiers
at collector currents from 0.2 mA to 20 mA
f
T
= 8 GHz
F
= 1.2 dB at 900 MHz
Two (galvanic) internal isolated
Transistors in one package
C1
6
E2
5
B2
4
4
5
6
ESD
:
E
lectro
s
tatic
d
ischarge sensitive device, observe handling precaution!
Junction temperature
Ambient temperature
Storage temperature
Thermal Resistance
Junction - soldering point
R
thJS
1
T
is measured on the collector lead at the soldering point to the pcb
S




2
1
3
VPS05604
TR2
TR1
1
B1
2
E1
3
C2
EHA07196
Type
BFS 482
Maximum Ratings
Parameter
Marking
RGs
Pin Configuration
Package
1=B 2=E 3=C 4=B 5=E 6=C SOT-363
Symbol
V
CEO
V
CES
V
CBO
V
EBO
I
C
I
B
Value
Unit
Collector-emitter voltage
Collector-emitter voltage
Collector-base voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Base current
Total power dissipation
,
T
S
12
20
20
2
35
4
250
150
-65 ... 150
-65 ... 150
V
mA
mW
擄C
81 擄C
1)
P
tot
T
j
T
A
T
stg

275
K/W
1
Oct-12-1999

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