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Q62702F1503 Datasheet

  • Q62702F1503

  • TRANSISTOR R.F SOT343

  • 7頁(yè)

  • ETC

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BFP 183W
NPN Silicon RF Transistor
鈥?For low noise, high-gain broadband amplifiers at
collector currents from 2 mA to 30 mA
鈥?f
T
= 8 GHz
F = 1.2 dB at 900 MHz
ESD: Electrostatic discharge
sensitive device, observe handling precaution!
Type
Marking Ordering Code
Pin Configuration
BFP 183W
RHs
Q62702-F1503
1=E
2=C
3=E
4=B
Package
SOT-343
Maximum Ratings
Parameter
Collector-emitter voltage
Collector-emitter voltage
Collector-base voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Base current
Total power dissipation
Symbol
Values
12
20
20
2
65
5
mW
450
150
- 65 ... + 150
- 65 ... + 150
鈮?/div>
205
擄C
mA
Unit
V
V
CEO
V
CES
V
CBO
V
EBO
I
C
I
B
P
tot
T
j
T
A
T
stg
1)
T
S
鈮?/div>
58 擄C
Junction temperature
Ambient temperature
Storage temperature
Thermal Resistance
Junction - soldering point
R
thJS
K/W
1)
T
S
is measured on the collector lead at the soldering point to the pcb.
Semiconductor Group
1
Dec-12-1996

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