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Q62702F1432 Datasheet

  • Q62702F1432

  • TRANSISTOR R.F SOT223

  • 6頁

  • ETC

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BFG 235
NPN Silicon RF Transistor
鈥?For low-distortion broadband output amplifier
stages in antenna and telecommunications
systems up to 2 GHz at collector currents from
120mA to 250mA
鈥?Power amplifiers for DECT and PCN systems
鈥?Integrated emitter ballast resistor
鈥?/div>
f
T
= 5.5 GHz
ESD: Electrostatic discharge
sensitive device, observe handling precaution!
Type
Marking Ordering Code
Pin Configuration
BFG 235
BFG235 Q62702-F1432
1=E
2=B
3=E
4=C
Package
SOT-223
Maximum Ratings
Parameter
Collector-emitter voltage
Collector-emitter voltage
Collector-base voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Base current
Total power dissipation
Symbol
Values
15
25
25
2
300
40
mW
2000
150
- 65 ... + 150
- 65 ... + 150
鈮?/div>
35
擄C
mA
Unit
V
V
CEO
V
CES
V
CBO
V
EBO
I
C
I
B
P
tot
T
j
T
A
T
stg
1)
T
S
鈮?/div>
80 擄C
Junction temperature
Ambient temperature
Storage temperature
Thermal Resistance
Junction - soldering point
R
thJS
K/W
1)
T
S
is measured on the collector lead at the soldering point to the pcb.
Semiconductor Group
1
Dec-13-1996

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