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Q62702-S015 Datasheet

  • Q62702-S015

  • SIPMOS Small-Signal Transistor(N channel Depletion mode High...

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SIPMOS
廬
Small-Signal Transistor
BSS 129
q
q
q
q
q
q
q
V
DS
240 V
I
D
0.15 A
R
DS(on)
20
鈩?/div>
N channel
Depletion mode
High dynamic resistance
Available grouped in
V
GS(th)
1
2
3
Type
Ordering
Code
Tape and Reel
Information
Pin Configuration Marking
1
G
2
D
3
S
SS 129
Package
TO-92
BSS 129 Q62702-S015 E6288: 1500 pcs/reel;
2 reels/carton; gate first
BSS 129 Q67000-S116 E6296: 1500 pcs/reel;
2 reels/carton; source first
Maximum Ratings
Parameter
Drain-source voltage
Drain-gate voltage,
R
GS
= 20 k鈩?/div>
Gate-source voltage
Gate-source peak voltage, aperiodic
Continuous drain current,
T
A
= 37 藲C
Pulsed drain current,
Max. power dissipation,
Symbol
Values
240
240
鹵
14
鹵
20
0.15
0.45
1.0
鈥?55 鈥?+ 150
鈮?/div>
125
E
55/150/56
Unit
V
V
DS
V
DGR
V
GS
V
gs
I
D
I
D puls
P
tot
T
j
,
T
stg
R
thJA
鈥?/div>
鈥?/div>
A
W
藲C
K/W
鈥?/div>
T
A
= 25 藲C
T
A
= 25 藲C
Operating and storage temperature range
Thermal resistance, chip-ambient
(without heat sink)
DIN humidity category, DIN 40 040
IEC climatic category, DIN IEC 68-1
Semiconductor Group
1
04.97

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