GaAlAs-Lumineszenzdiode (660 nm)
GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm)
SFH 464
酶0.45
2.54 mm
spacing
Chip position
酶4.3
酶4.1
1
0.9 .1
1.1 .9
0
2.7
1
14.5
12.5
3.6
3.0
酶5.5
酶5.2
GET06625
Anode (LD 242, BPX 63, SFH 464)
Cathode (SFH 483)
Approx. weight 0.5 g
Ma脽e in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q
Strahlung im sichtbaren Rotbereich ohne IR-
Features
Radiation without IR in the visible red range
Cathode is electrically connected to the case
Very high efficiency
High reliability
Short switching time
Same package as BP 103, LD 242
DIN humidity category in acc. with DIN
40040 GQG
q
Component subjected to aperture
measurement (E 7800)
q
q
q
q
q
q
q
Anteil
q
Kathode galvanisch mit dem
Geh盲useboden verbunden
q
Sehr hoher Wirkungsgrad
q
Hohe Zuverl盲ssigkeit
q
Kurze Schaltzeiten
q
Geh盲usegleich mit BP 103, LD 242
q
Anwendungsklassen nach DIN 40040 GQG
q
Lochblendenvermessenes Bauteil
(E 7800)
Anwendungen
q
Lichtschranken f眉r Gleich- und
Applications
q
Photointerrupters
q
Fiber optic transmission
Wechsellichtbetrieb bis 5 MHz
q
LWL
Typ
Type
SFH 464 E7800
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702-Q1745
Geh盲use
Package
18 A3 DIN 41876 (TO-18), Bodenplatte, klares Epoxy-
Gie脽harz, Anschl眉sse im 2.54-mm-Raster (
1
/
10
鈥欌€?,
Anodenkennzeichnung: Nase am Geh盲useboden
18 A3 DIN 870 (TO -18), clear epoxy resin, lead
spacing 2.54 mm (
1
/
10
鈥欌€?, anode marking: projection at
package bottom
Semiconductor Group
1
1998-07-15
fet06625