BPX 65
BPX 66
Silizium-PIN-Fotodiode
Silicon PIN Photodiode
BPX 65
BPX 66
Ma尾e in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet f眉r Anwendungen im
Bereich von 350 nm bis 1100 nm
q
BPX 65: Hohe Fotoempfindlichkeit
q
BPX 66: Sperrstromarm (typ. 150 pA)
q
Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18),
geeignet bis 125
o
C
1)
Anwendungen
q
schneller optischer Empf盲nger mit gro尾er
Modulationsbandbreite
Typ
Type
BPX 65
BPX 66
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702-P27
Q62702-P80
Features
q
Especially suitable for applications from
350 nm to 1100 nm
q
BPX 65: high photosensitivity
q
BPX 66: low reverse current (typ. 150 pA)
q
Hermetically sealed metal package (TO-18),
suitable up to 125
o
C
1)
Applications
q
Fast optical sensor of high modulation
bandwidth
Geh盲use
Package
18 A3 DIN 41870, planes Glasfenster, hermetisch
dichtes Geh盲use, L枚tspie尾e im 2.54-mm-Raster
(
2
/
10
鈥?, Anodenkennzeichnung: Nase am Geh盲use-
boden
18 A3 DIN 41870, flat glass lens, hermetically
sealed package, solder tabs 2.54 mm (
2
/
10
鈥? lead
spacing, anode marking: projection at package bot-
tom
1)
1)
Eine Abstimmung der Einsatzbedingungen mit dem Hersteller wird empfohlen bei
T
A
> 85
o
C
For operating conditions of
T
A
> 85
o
C please contact us.
Semiconductor Group
342
10.95
1
2
3
4
