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Q62702-P5054 Datasheet

  • Q62702-P5054

  • GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter

  • 46.71KB

  • 4頁

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GaAs-IR-Lumineszenzdiode
GaAs Infrared Emitter
SFH 495 P
SFH 4552
29
27
5.0
4.2
Anode
2.54 mm
spacing
5.9
5.5
0.6
0.4
0.8
0.4
Area not flat
Chip position
GEX06971
Area not flat
0.6
0.4
6.9
6.1
5.7
5.5
2.54 mm
spacing
0.8
0.4
5.9
5.5
1.8
1.2
29.5
27.5
Cathode (Diode)
Collector (Transistor)
酶5.1
酶4.8
4.0
3.4
Chip position
0.6
0.4
GEX06630
Ma脽e in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q
Stimulierter Emitter mit sehr hohem
Wirkungsgrad
q
Laserdiode in diffusem Geh盲use
q
Besonders geeignet f眉r Impulsbetrieb bei
hohen Str枚men
q
Hohe Zuverl盲ssigkeit
q
Gegurtet lieferbar
Anwendungen
q
Daten眉bertragung
q
Fernsteuerungen
q
鈥濵essen, Steuern, Regeln鈥?/div>
Features
q
Stimulated emitter with high efficiency
q
Laser diode in diffuse package
q
Suitable esp. for pulse operation at high
current
q
High reliability
q
Available on tape and reel
Applications
q
Data transfer
q
Remote controls
q
For drive and control circuits
Semiconductor Group
1
1998-09-18
feo06652
fex06971
1.8
1.2
3.85
3.35
酶5.1
酶4.8
0.6
0.4

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