NPN-Silizium-Fototransistor
Silicon NPN Phototransistor
SFH 3401
Chip position
1.1
1.0
0.3
0.2
4.8
4.4
Active area
0.55
0.7
0.3
0.8
0.6
Collector
2.7
2.5
Emitter
GEO06973
Ma尾e in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet f眉r Anwendungen im
Bereich von 460 nm bis 1080 nm
q
Hohe Linearit盲t
q
SMT-Bauform mit Basisanschlu脽, geeignet
f眉r Vapor Phase-L枚ten und
IR-Reflow-L枚ten (JEDEC level 4)
q
Nur gegurtet lieferbar
Anwendungen
q
Umgebungslicht-Detektor
q
Lichtschranken f眉r Gleich- und Wechsel-
lichtbetrieb
q
Industrieelektronik
q
鈥濵essen/Steuern/Regeln鈥?/div>
2.1
1.9
0.5
0.3
1.1
0.9
0.1
0.0
Base
Features
q
Especially suitable for applications from
460 nm to 1080 nm
q
High linearity
q
SMT package with base connection,
suitable for vapor phase and IR reflow
soldering (JEDEC level 4)
q
Available only on tape and reel
Applications
q
Ambient light detector
q
Photointerrupters
q
Industrial electronics
q
For control and drive circuits
Semiconductor Group
1
1998-04-27
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