GaAs-IR-Lumineszenzdiode
GaAs Infrared Emitter
SFH 409
Area not flat
0.7
0.4
0.6
0.4
5.2
4.5
2.54 mm
spacing
0.8
0.4
4.1
3.9
4.0
3.6
Approx. weight 0.3 g
Ma脽e in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q
GaAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im
Schmelzepitaxieverfahren
q
Hohe Zuverl盲ssigkeit
q
Hohe Impulsbelastbarkeit
q
Gruppiert lieferbar
q
Geh盲usegleich mit SFH 309, SFH 487
Anwendungen
q
Lichtschranken f眉r Gleich- und
Features
q
GaAs infrared emitting diode, fabricated in a
liquid phase epitaxy process
q
High reliability
q
High pulse handling capability
q
Available in groups
q
Same package as SFH 309, SFH 487
Applications
q
Photointerrupters
q
IR remote control of various equipment
Wechsellichtbetrieb
q
IR Fernsteuerungen
Typ
Type
SFH 409
SFH 409-1
1)
SFH 409-2
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702-P860
Q62702-P1001
Q62702-P1002
Geh盲use
Package
3-mm-LED-Geh盲use (T 1), grau eingef盲rbt, An-
schl眉sse im 2.54-mm-Raster (
1
/
10
鈥欌€?,
Kathodenkennzeichnung: k眉rzerer Anschlu脽
3 mm LED package (T 1), grey-colored epoxy resin,
solder tabs lead spacing 2.54 mm (
1
/
10
鈥欌€?,
cathode marking: short lead
1)
1)
Nur auf Anfrage lieferbar.
Available only on request.
Semiconductor Group
1
1997-11-01
fex06250
1.8
1.2
29
6.3
5.9
27
Cathode (SFH 409)
Anode (SFH 487)
酶3.1
酶2.9
(3.5)
Chip position
0.6
0.4
GEX06250
1
2
3
4
