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Q62702-L96 Datasheet

  • Q62702-L96

  • GaAs FET (Power amplifier for mobile phones For frequencies ...

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GaAs FET
CLY 2
________________________________________________________________________________________________________
Datasheet
*
Power amplifier for mobile phones
*
For frequencies up to 3 GHz
*
Operating voltage range: 2 to 6 V
* P
OUT
at V
D
=3V, f=1.8GHz typ. 23.5 dBm
*
High efficiency better 55 %
4
5
6
3
2
ESD:
Electrostatic discharge
sensitive device,
observe handling precautions!
1
Type
Marking
Ordering code
(taped)
Q62702-L96
.
1
2
S
Pin Configuration
3
4
5
D
D
S
Package 1)
6
G
MW 6
CLY 2
Y2
G
Maximum ratings
Drain-source voltage
Drain-gate voltage
Gate-source voltage
Drain current
Channel temperature
Storage temperature
Total power dissipation
(TS < 50擄C) 2)
Thermal Resistance
Channel-soldering point
2)
Symbol
VDS
VDG
VGS
ID
TCh
Tstg
Ptot
9
12
-6
600
150
-55...+150
900
Unit
V
V
V
mA
擄C
擄C
mW
RthChS
鈮?/div>
110
K/W
1)
Dimensions see chapter Package Outlines
2) TS is measured on the source lead at the soldering point to the pcb.
Siemens Aktiengesellschaft
pg. 1/77
17.12.96
HL EH PD 21

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