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Q62702-G0067 Datasheet

  • Q62702-G0067

  • Si-MMIC-Amplifier in SIEGET 25-Technologie (Cascadable 50 W-...

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BGA 427
Si-MMIC-Amplifier
in SIEGET
廬
25-Technologie
Preliminary data
鈥?/div>
Cascadable 50
鈩?gain
block
鈥?/div>
Unconditionally stable
鈥?/div>
Gain |S
21
|
2
= 18,5 dB at 1.8 GHz (appl.1)
gain |S
21
|
2
= 22 dB at 1.8 GHz (appl.2)
IP
3out
= +7 dBm at 1.8 GHz (V
D
=3V,
I
D
=9.4mA)
鈥?/div>
Noise figure
NF
= 2.2 dB at 1.8 GHz
鈥?/div>
typical device voltage
V
D
= 2 V to 5 V
鈥?/div>
Reverse isolation < 35 dB (appl.2)
4
3
4
2
1
VPS05605
3
+
V
OUT
Circuit Diagram
IN
1
2
GND
EHA07378
ESD: Electrostatic discharge
sensitive device, observe handling precaution!
Type
BGA 427
Parameter
Marking Ordering Code
BMs
Q62702-G0067
Pin Configuration
1, IN
2, GND
Symbol
Package
3, +V
4, Out
Value
25
6
150
-10
150
-65 ...+150
-65 ...+150
SOT-343
Unit
mA
V
mW
dBm
擄C
Maximum Ratings
Device current
Device voltage
Total power dissipation,
T
S
鈮?/div>
tbd 擄C
I
D
V
D
,+V
P
tot
P
RFin
T
j
T
A
T
stg
1)
R
F
input power
Junction temperature
Ambient temperature
Storage temperature
Thermal Resistance
Junction - soldering point
R
thJS
鈮?/div>
tbd
K/W
1)
T
S
is measured on the emitter (GND) lead at the soldering point to the pcb
Semiconductor Group
Semiconductor Group
1
1
Au
1998-11-01
-11-1998

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