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Q62702-F1774 Datasheet

  • Q62702-F1774

  • Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (For low noise, high gain c...

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BF 2030W
Silicon N-Channel MOSFET Tetrode
Preliminary data
鈥?/div>
For low noise, high gain controlled
input stages up to 1GHz
鈥?/div>
Operating voltage 5V
3
4
2
1
VPS05605
ESD: Electrostatic discharge
sensitive device, observe handling precaution
Type
Marking Ordering Code
Q62702-F1774
Pin Configuration
1=D
2=S
3 = G1
4 = G2
Package
SOT-343
BF 2030W NEs
Maximum Ratings
Parameter
Drain-source voltage
Symbol
Value
14
40
10
7
200
-55 ...+150
150
Unit
V
mA
V
mW
擄C
V
DS
I
D
鹵
I
G1/2SM
+
V
G1SE
Continuos drain current
Gate 1/gate 2 peak source current
Gate 1 (external biasing)
Total power dissipation,
T
S
= 94 擄C
Storage temperature
Channel temperature
P
tot
T
stg
T
ch
Thermal Resistance
Channel - soldering point
R
thchs
鈮?80
K/W
Semiconductor Group
Semiconductor Group
1
1
Jun-05-1998
1998-11-01

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